ANUNȚ DE FINALIZARE PROIECT

“Linii pilot de 300nm pentru dispozitive Smart Power și Power Discretes — R3-PowerUP”,

contract de finanţare nr. 1/1.1.3H/31.01.2018, cod SMIS 2014+: 115833

Universitatea POLITEHNICA din București, cu sediul în Splaiul Independenţei nr. 313, sector 6, București a derulat în perioada 31.01.2018 — 30.04.2023, proiectul “Linii pilot de 300nm pentru dispozitive Smart Power și Power Discretes — R3-PowerUP”, contract de finanțare nr. 1/1.1.3H/31.01.2018, cod SMIS 2014+: 115833, cofinanţat prin Fondul European de Dezvoltare Regională prin Programul Operaţional Competitivitate (POC 2014-2020), Axa prioritară 1: Cercetare, dezvoltare tehnologică și inovare (CDI) în sprijinul competitivităţii economice și dezvoltării afacerilor, Prioritate de investiţie: Plla Consolidarea cercetării și inovării (C&l), a infrastructurii și a capacităţilor de dezvoltare a excelenţei în domeniul C&l, precum și promovarea centrelor de competenţă, în special a celor de interes european, Acţiunea: 1.1.3 Crearea de sinergii cu acţiunile de CDI ale programului-cadru ORIZONT 2020 al Uniunii Europene şi alte programe CDI internaţionale.

Obiectivul general al proiectului l-a reprezentat realizarea unei linii pilot multi-KET (nanoelectronică, nanotehnologie, fabricare avansată) de nouă generaţie de 300mm pentru tehnologia Smart Power în Europa, astfel contribuind la stabilirea referinței mondiale de soluţii inovatoare și competitive pentru provocări societale critice, inclusiv reducerea emisiilor de CO2 și eficiență energetică.

Obiectivele specifice ale proiectului au fost:

1. Configurarea liniei pilot – a urmărit configurarea liniei pilot 300nm, cu selectarea echipamentelor și a materialelor, instalarea echipamentelor și validarea acestora cu materialele selectate, pentru a permite implementarea proceselor Smart Power;

2. Dezvoltare de substrat — a urmărit dezvoltarea materialelor pentru substraturi de baza care să asigure calitatea dorită pentru a preveni deformarea waferelor în timpul tratamentelor termice și back-grind- ing final, cu un control riguros al defectelor și a contaminării;

3. Opţiuni de fabricare pentru BCD 90nm — a urmărit optimizarea implementării BCD10 de 90nm pe

wafere de 300mm, pornind de la dezvoltarea BCD10 de 90nm pe wafere de 200mm;

4. Implementarea modulelor de putere 8 300mm — s-a utilizat linia completă de procesare de 300mm pentru a testa unele module critice, ambele necesare procedurii de fabricare BCD, avansată sau tipică, de dispozitive discrete de putere, cu accent pe dispozitive IGBT (1200V) și LV MOSFET (40V) cu șanțuri; 5. Asamblare, încapsulare și integrare 3D — s-au evaluat diferite concepte de modelare și încapsulare capabile să permită disiparea energiei, performanţa și fiabilitate superioară a dispozitivelor.

Perioada de implementare a proiectului a fost de 63 luni, respectiv de la data de 31 ianuarie 2018 până la data de 30 aprilie 2023.

Valoarea totală a proiectului a fost de 5.293.000,00 lei, din care asistenţa financiară nerambursabilă a fost de 5.290.000,00 lei, din care FEDR 4.232.000,00 lei.

Date de contact:

Nume persoana de contact: Prof. Dr.rer.nat. Marius ENACHESCU

Functia: Director de proiect

Tel.: 0752003044, e-mail: marius.enachescu@cssnt-upb.ro,

“Proiect cofinanţat prin Fondul European de Dezvoltare Regională prin Programul Operaţional Competitivitate”