Titlul proiectului: ”Linie pilot pentru circuite integrate semiconductoare cu noduri electronice de 3 nm- PIN3S”

Acronim: PIn3S

Tipul proiectului: Proiect European H2020

Proiectul PIn3S își propune dezvoltarea și Integrarea Liniei Pilot a tehnologiei de procesare a circuitelor integrate (CI) semiconductoare pe 3 nm, acesta reprezentând următorul nod/obiectiv din roadmap-ul privind fabricarea Circuitelor Integrate Logice. Inovațiile propuse în acest proiect vor garanta capabilitatea sectorului și a ecosistemului echipamentelor semiconductoare europene de a valorifica creșterea exponențială așteptată în acest domeniu, de a contribui la sporirea locurilor de muncă durabile și de a ocupa un loc de vârf în ceea ce privește conducerea tehnologică la nivel mondial.

După invenția tranzistorului MOS, dar și descoperirea modalității de integrare și interconectare a dispozitivelor MOS pe un substrat planar, lucruri realizate la începutul anilor ‘60, următoarele generații de procesoare au fost dezvoltate pe o bază bianuală în care lungimea porții tranzistorului a fost scalată cu 0.7x.

De-a lungul anilor, litografia a fost una din tehnicile cheie din spatele succesului continuu privind reducerea dimensiunilor, contribuind astfel semnificativ la progesul tehnico-economic descris ca fiind “Legea lui Moore”

Obiectivul general al proiectului PIn3S este Integrarea Pilot a tehnologiei Semiconductorilor pe 3nm. Aceast lucru implică dezvoltarea și integrarea cu succes a modulelor de procesare la un nivel ridicat, dezvoltarea unei tehnologii adecvate de modelare și a capacităților de metrologie. În plus, PIn3S își propune să completeze infrastructura Mască EUV prin dezvoltarea echipamentelor de reparare a măștilor pentru a permite crearea unei măști eficiente din punct de vedere al costurilor pentru nodul de 3nm și nu numai.

Litiografia este elementul cheie ce va permite în continuare diminuarea dimensiunii caracteristicilor, criteriu necesar pentru a susține legea lui Moore. Realizarea unui echipament pentru Litografie rentabil din punct de vedere al costurilor pentru Producție în Masă, capabil să îndeplinească cerințele Tehnologiei pe 3 nm, precum Dimensiunea Caracteristicilor, Suprapunerea și Productivitatea, reprezintă obiectivul principal al acestui proiect. Obiectivele specifice privind Litografia pot fi rezumate după cum urmează:

  • Optimizarea scanerelor litografice pe bază de EUV pentru a permite modelarea printr-o singură expunere a nodurilor de 3nm prin dezvoltarea, validarea performanțelor și expunerea plachetei la scanerul prototip EUV Hyper NA cu optică anamorfică la NA de 0.55;
  • Creșterea rentabilității din punct de vedere al costurilor a Productivității în Masă a dispozitivelor integrate cu noduri de 3nm, prin dezvoltarea și realizarea unui prototip de scanare prin imersie DUV capabil să realizeze noduri de 3nm, care include optică DUV cu tehnologie de oglinzi deformabile, potrivită cu performanța de suprapunere a scanerelor EUV, satisfăcând astfel cerințele de productivitate ridicată;
  • Dezvoltarea unui prototip avansat de Litografie optică, utilizând un nou concept de acționare pentru tehnologia de oglindă deformabilă, atât pentru scanerele DUV prin imersie, cât și pentru scanerele litografice EUV, pentru a îmbunătăți bugetul pentru suprapunerea optică cu un factor de doi.