DESCRIERE:
Hitachi ETHOS NX5000 este un sistem complex care combină tehnologia tunului de electroni cu emisie pe câmp de înaltă intensitate (catod rece) cu o lentilă compusă magnetică/electrostatică nou dezvoltată (sau lentilă dual-mod). Sistemul NX5000 încorporează o coloană FIB pentru procesarea probelor și o coloană SEM pentru observații la mare mărire, toate acestea într-o singură cameră pentru specimen. Sistemul cu două coloane permite observarea structurii fine și a compoziției unor regiuni specifice de-a lungul planului specimenului, precum și a regiunilor sub-superficiale de interes. În plus, sistemul integrează un tun de Ar pentru a reduce implantarea ionilor de Ga, care poate apărea în procesarea secțiunilor transversale prin intermediul FIB.

Sistemul FIB-SEM este utilizat într-o varietate largă de domenii, cum ar fi semiconductoarele, nanotehnologia, știința materialelor, medicina și biologia, pentru observația și analiza secțiunilor transversale ale probelor, precum și pentru pregătirea lamelălor pentru TEM. Instrumentul este echipat cu o scenă de probe de mari dimensiuni, nou dezvoltată, care permite observarea și procesarea completă a probelor cu diametrul de 150 mm. De asemenea, sistemul poate asigura analiza elementelor din probe folosind detectorul EDS (Oxford Instruments ULTIM MAX, cu o zonă detector de 65 mm² și 1,1 steradian).

Analiza cu Raze X Dispersive de Energie – EDX
EDX este o tehnică analitică utilizată pentru analiza elementelor sau caracterizarea chimică a unei probe. Echipamentul este dotat cu un detector Silicon Drift (SDD) disponibil pe piață, cu o zonă de 65 mm², destinat nano-analizelor avansate. Beneficiile SDD includ:

  1. Rată înaltă de numărare și procesare
  2. Rezoluție mai bună decât detectoarele tradiționale Si (Li) la rate înalte de numărare
  3. Timp mort mai scăzut (timpul petrecut pentru procesarea evenimentelor X-ray)
  4. Capacități analitice mai rapide și hărți X-ray sau date particulare mai precise, colectate în câteva secunde
  5. Capacitatea de a funcționa la temperaturi relativ ridicate, eliminând astfel necesitatea răcirii cu azot lichid

Tipuri de analiză:
• Caracterizarea chimică și structurală a probelor;
• Investigarea structurii semiconductoarelor;
• Cercetare morfologică.

Detalii tehnice

  • Rezoluție SIM: 4 nm @ 30 kV, 60 nm @ 2 kV (rezoluție de margine)
  • Tensiune de accelerare: 0,5 kV – 30 kV
  • Curent de fascicul: 100 nA
  • Sursă de ioni: Sursă de ioni din metal lichid Ga
  • Rezoluție SEM: 1,5 nm @ 1 kV, 0,7 nm @ 15 kV
  • Tensiune de accelerare: 0,1 kV – 30 kV
  • Curent maxim de fascicul: 10 nA
  • Sursă de electroni: Emisie pe câmp cu catod rece

Detectoare:
• Detector de electroni secundari în coloană, SE (U)
• Detector de electroni retrodispersați în coloană, BSE (U)
• Detector de electroni retrodispersați în coloană, BSE (L)
• Detector de electroni secundari montat pe cameră, SE (L)
• EDX

Caracteristici cheie:
• Coloană FE-SEM de înaltă performanță cu mod dual de lentilă (mod HR: semi-in-lens, mod FF: mod de partajare a timpului)
• Procesare a materialelor cu debit mare: procesare ultra-rapidă cu densitate mare a curentului de ioni (curent maxim de fascicul: 100 nA)
• Sistem de microsamplare: pregătirea probelor TEM pentru obținerea de lamelle uniforme, indiferent de orientare
• Funcționare cu trei fascicule, oferind rezultate de calitate superioară: procesare a materialelor cu fascicul de ioni de gaze nobile la accelerație redusă, funcții inovatoare care reduc artefactele legate de ionii Ga și alte defecte de frezare
• Cameră multi-port și scenă de mari dimensiuni pentru diverse aplicații: depunerea diferitelor gaze (W, Pt, C), capacitatea de a procesa probe de dimensiuni mari și sistem cu stabilitate excepțională a scenei
• Urmărire îmbunătățită pe distanțe lungi, pe întreaga suprafață (155 x 155 mm)

Scenă:
• Scenă standard
• Scenă dedicată pentru probe circulare cu o suprafață de până la 120 mm
• Scenă dedicată pentru probe rectangulare cu o suprafață de până la 150 mm