Cea de a doua etapă, 2025 de implementare a proiectului, s-a finalizat cu:

  • Colectarea de seturi de date pentru modelarea degradării dispozitivelor de putere și a acționărilor electrice

S-au desfășurat teste și analize pentru evaluarea performanței dispozitivelor în condiții extreme, cum ar fi umiditate ridicată si salinitate ridicata conform standardelor. Universitatea Națională de Știință și Tehnologie POLITEHNICA București a utilizat un protocol experimental pentru procesul degradării dispozitivului GaN MOSFET, elaborat în prima etapă a proiectului, prin coroziune salină, precum și pentru detectarea defectelor induse de coroziune, dar și defecte induse în urma supunerii componentelor la cicluri termice. S-au efectuat analize SEM-EDX pentru identificarea elemntelor de suprafață modificate în urma tratamentelor chimice în mediu cu umiditate și salinitate crescută.

S-au realizat în etapa 2, experimente de coroziune pe tranzistoare de putere GaN MOSFET. Tranzistoarele au fost testate electric și termic, stabilindu-se efectele coroziunii saline și ale ciclurilor termice asupra proprietăților electrice, în special asupra capacităților Crss și Coss.

Această etapă a creat date de intrare pentru activitățile interconexe ale proiectului.

  • Definirea și implementarea protocoalelor de testare

Au fost dezvoltate setup-uri experimentale, cu diminuarea substanțială a erorilor de măsură incluzând:

  • Măsurarea capacităților parazite Crss și Coss pentru tranzistorii GaN MOSFET cu aparate și accesorii suplimentare Hioki, pentru o precizie sporită.
  • Monitorizarea profilului de temperatură la nivel de capsulare, folosind un vehicul de test modificat, pe PCB, pentru GaN MOSFET -urile studiate transmise de ST-I prin UNIBO.
  • Au fost studiate procedurile pentru testarea de senzori sau componente SiC, GaN de banda larga interzisă, în mediu gazos utilizând Unitatea electronică de dozare gaze
  • Au fost alese condițiile de testare cu Echipamentul criogenic Mini-Cryogenic -Free Magnet System pentru MOSFET GaN, identificat software-ul de control și echipamentele electronice implicate în acest test, urmând a se realiza în perioada imediat următoare testarea la temperatura camerei a setup-ului prestabilit cu montarea DUT.

Această etapă a îmbunătățit mijloacele de testare și calitatea testării.

  • Testarea și evaluarea demonstratorilor dezvoltați in proiect. Testarea în condiții reale de funcționare a dispozitivelor,

A fost monitorizată condiția unui invertor de putere în timpul funcționării și anume un convertor monofazat cu puterea de ieșire 1500W, tensiune de intrare 24V și tensiune de ieșire 230Vca, prin terminalele MOSFET-urilor discrete urmărind temperatura în timpul funcționării invertorului. Măsurătorile în IR executate cu termocamera FLIR au furnizat date în timp real pentru un management termic util fiabilizării crescute a acționărilor industriale. Măsurătorile efectuate în condiții reale de funcționare au creat date ce pot fi folosite în managementul termic al acționărilor industriale pentru sporirea fiabilitații acestora.