In cadrul Etapei 2 (2025) de implementare a proiectului, s-au realizat analize de micro-spectroscopie Raman pentru evaluarea stresului în plachetele de tip sSOI furnizate de către partenerii externi. Rezultatele au evidențiat faptul că poziția picului Raman al modului fononic LO al siliciului, înregistrat în patru puncte distincte de-a lungul unei linii radiale de la centru spre margine wafer, diferă de la punct la punct pentru aceeași probă, dar și între cele patru probe diferite de sSOI (S1–S4) analizate. Deplasarea către lungimi de undă > 520.00 cm-1 observată pentru poziția picului Raman al modului fononic LO al siliciului este asociată prezenței unor tensiunea de compresiune (compressive strain) în plachetele sSOI analizate.

De asemeni, în cadrul activităților associate Etapei 2 de implementare a proiectului, echipa de cercetători din Politehnica București a desfășurat experimente SEM-ECCI reușind astfel, ca prin implicarea unei tehnici rapide, nedestructive și de încredere, să evidențieze prezenta unor multiple tipuri de defecte cristaline, associate diverselor moduri tehnologice de procesare a plachetelor sSOI destinate tehnologiilor CMOS.