Tranzistori cu Efect de Camp

 

Tranzistorii cu efect de câmp sunt realizaţi în CSSNT folosind litografia cu fascicul de electroni (EBL). Se folosește un substrat de Si puternic dopat ca electrod poartă. Dielectricul este un strat de SiO₂ poziționat sub electrozii sursă şi drenă de aur. Unicitatea FET-urilor proiectate în laboratorul nostru, este reprezentată de Nano-Obiectele utilizate în canale: SWCNTs, MWCNTs, Nanofire, Nanocurele, etc. Prima imagine de mai jos arată o schemă Nano-FET (stânga) și un FET obținut folosind un nanofir de InP (dreapta).

 

 

Construcția Nano-FET-urilor este prezentată în imaginile de mai jos. După cum se poate vedea, după dispersia nanofirelor, unele pot forma un contact direct cu electrozii existenți, iar unele au nevoie de electrozi suplimentari ce vor fi construiți folosind EBL pentru a realiza contact electric.

 

 

Fluxul de lucru utilizat pentru obținerea electrozilor suplimentari este prezentat mai jos (prima imagine), atât schematic cât și ca imagini reale obținute în timpul fluxului de lucru.

 

 

Imaginea de mai jos arată imagini reale obținute în timpul fluxului de lucru pentru crearea electrozilor suplimentari. Prima imagine din stânga arată designul electrozilor suplimentari. Imaginile din mijloc arată modelul obținut după expunerea EBL, iar imaginile din dreapta arată electrozii suplimentari obţinuţi după depunerea de aur în modelul obținut anterior.