În cadrul activităţii 2.1, rezultatele obţinute în celelalte activităţi au fost folosite la fundamentarea unor cerințe noi și flexibile pentru evaluarea calității wafer-elor SiC, bazate pe examinarea tensiunilor interne, stabilitatea structurală locală și răspunsul mecanic regional al substratului.

În cadrul activităţilor 2.2-2.4, evaluarea calității plachetelor pe bază de carbură de siliciu (SiC) a fost extinsă prin utilizarea combinată a tehnicilor micro-Raman și HR-XRD, aplicate pe plachetele provenite din regiuni diferite ale lingoului.

Măsurătorile Raman au permis caracterizarea precisă a distribuției tensiunilor interne la scară locală, evidențiind variații axiale și radiale consistente cu procesele de creștere și solidificare ale cristalului. Prelucrarea acestor date a arătat tranziția dintre zone relativ stabile, apropiate de seed, secțiuni mediane unde tensiunile interne prezintă instabilități și acumulări, și regiuni terminale în care tensiunile se atenuează progresiv. Complementar, analiza HR-XRD efectuată de-a lungul unei direcții cristalografice pe un singur wafer a furnizat informații suplimentare privind distribuția deformărilor la scară volumică, demonstrând sensibilitatea tehnicii la variațiile structurale subtile și validând configurația noului suport de probă.

Aceste rezultate contribuie la fundamentarea unor cerințe noi și flexibile pentru evaluarea calității wafer-elor SiC, bazate pe examinarea tensiunilor interne, stabilitatea structurală locală și răspunsul mecanic regional al substratului. Integrarea măsurătorilor spectroscopice și difractive, alături de optimizarea graduală a parametrilor experimentali, permite dezvoltarea unor proceduri robuste, adaptabile și orientate către identificarea timpurie a zonelor critice din interiorul wafer-ului. În ansamblu, metodologia propusă consolidează capacitatea de caracterizare avansată a substraturilor de SiC și susține îmbunătățirea proceselor de creștere, prelucrării și selecție a materialelor pentru aplicații de înaltă performanță.